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聚焦离子束（FIB）技术分析
聚焦离子束技术（FIB）聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，
2025/8/28 -
什么是持久性有机污染物六溴环十二烷（HBCDD）？
六溴环十二烷，也称为HBCDD，是一种含溴化合物，以其多样的分子结构而闻名。这些化合物因其化学结构而展现出卓越的阻燃性能。准确测定HBCDD的含量对于评估环境风险和确保产品合规性具有重要意义。欧盟PO
2025/8/28 -
五大常见电子元器件的失效全解析
电子设备中绝大部分故障最终都可溯源至元器件失效。熟悉各类元器件的失效模式，往往仅凭直觉就能锁定故障点，或仅凭一次简单的电阻、电压测量即可定位问题。检测请联系18148990106。电阻器类 电阻器家族
2025/8/28 -
利用透射电子显微镜（TEM）能够观察到什么？
超高分辨率形貌与结构信息1.微观形貌TEM能够直接观察样品的微观结构，包括颗粒的形状、大小、分布、表面特征、孔洞以及缺陷（如位错、层错、晶界、相界等）。这些信息对于理解材料的基本性质和性能至关重要。例
2025/8/27 -
氩离子束抛光技术：锂电池电极片微观结构
氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术，是利用氩离子束对样品进行抛光，可以获得表面平滑的样品，而不会对样品造成机械损害。去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在SEM，光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、ED
2025/8/27 -
CDM试验对电子器件可靠性的影响
在电子器件制造和应用中，静电放电（ESD）是一个重要的可靠性问题。CDM（带电器件模型）试验是评估电子器件在静电放电环境下的敏感度和可靠性的重要手段。通过CDM试验，可以有效识别器件在制造、运输和使用
2025/8/27 -
微量掺杂元素在半导体器件发展中的作用
微量掺杂元素表征的意义1. 材料性能掺杂元素可改变半导体的能带结构和载流子行为，从而决定器件的电学特性。以硅材料为例，掺入五价砷（As）元素可为晶格引入多余电子，使本征硅转变为n型半导体，直接影响导电
2025/8/27 -
金属牌号鉴定：确保材料品质的关键环节
在当今社会，金属材料的性能已成为衡量产品品质和安全性的核心要素。无论是日常生活中的普通用品，还是高端科技领域的精密设备，金属材料的品质始终是决定产品优劣的关键。而金属牌号鉴定，作为确保材料质量和安全的
2025/8/27 -
EBSD在材料科学中的优势分析
在材料科学中，对晶体结构和晶粒取向的深入研究对于揭示材料性能具有决定性作用。传统技术，如X光衍射和中子衍射，虽然能够提供宏观层面的晶体结构和取向信息，但它们无法将这些信息与微观结构直接关联，也无法详细
2025/8/26 -
聚焦离子束（FIB）在材料分析的应用
FIB是聚焦离子束的简称，由两部分组成。一是成像，把液态金属离子源输出的离子束加速、聚焦，从而得到试样表面电子像（与SEM相似）；二是加工，通过强电流离子束剥离表面原子，从而完成微，纳米级别的加工。F
2025/8/26
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