服务于阿里云、字节跳动、腾讯、小米、OPPO、vivo等头部企业的国内DRAM（动态随机存取存储器）巨头——长鑫科技迎来了又一重要发展节点。

从2019年研发出让中国DRAM产业实现历史性突破的第一代8Gb核心的DDR4内存芯片，到成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，长鑫科技在成立的十年里不断提高发展。

2025年年底，总资产超过3000亿、融资后估值高达1500亿的长鑫科技，于当年12月30日正式启动A股IPO。

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然而，在填补了中国大陆DRAM产业空白、成为国产替代核心力量的背后，长鑫科技也面临着盈利依赖行业周期、技术代差明显、行业周期性波动等多重挑战。

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全球第四背后，

2025年盈利拐点将至

长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多元化产品方案。

在成立的十年时间里，该公司已经完成了从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X全系列产品的主流覆盖和量产，满足服务器、中高端手机、PC等核心场景需求。

2022年至2024年，长鑫科技累计投入超152亿元，占三年总营收的36.6%，年均占比超过两成。

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高投入换来了高回报。

目前，长鑫科技的产品性能已经达到国际主流水平，助力其与阿里云、字节跳动、腾讯、小米、OPPO、vivo等头部企业相绑定。

2024年，长鑫科技按出货量统计已经成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

在庞大业务规模下，该公司近年来营收高速增长。

招股书显示，2022年至2024年，其营收分别为82.87亿元、90.87亿元和241.78亿元，但整体仍处于亏损状态。2022-2024年归母净利润分别为-83.28亿元、-163.40亿元和-71.45亿元。

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不过这一状况正在好转。

2025年上半年，长鑫科技营收达154.38亿元，归母净利润为-23.32亿元，亏损幅度明显收窄。究其原因，DRAM行业周期性依赖强，一家公司的业绩情况高度依赖价格上涨周期。

而据长鑫科技称，2025年随着公司产销规模的持续增长，产品结构的持续优化，以及2025年下半年以来DRAM产品价格的快速上涨，公司预计实现营业收入较上年同期大幅增加。

据招股书显示的全年业绩预计情况，2025年该公司预计实现净利润20亿元至35亿元，归母净利润为-16亿元至-6亿元，归母扣非净利润为28亿元至30亿元。

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但这并不意味着长鑫科技可以高枕无忧。

2025年6月末，该公司的存货余额达280.73亿元，累计计提存货跌价准备86.13亿元，若未来产品技术迭代或价格下跌，存货减值风险将进一步释放。

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且在国际巨头已推进EUV工艺与HBM3量产的背景下，长鑫科技如果未能及时跟上技术节奏，可能丧失市场份额。

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投入十年，

仍难打造“中国版三星”

长鑫科技创始人朱一明对国内存储行业一直寄予厚望，认为国内极有可能诞生“中国版三星”。

怀揣着这个愿望，朱一明辞去了在美国一家存储公司的项目主管职位回国创业，长鑫科技就此诞生。

为了打造“中国版三星”，朱一明在公司成立的十年时间里投入了大量资源。

一边从加拿大知识产权公司WiLAN手中收购大量奇梦达（原英飞凌DRAM业务）的DRAM专利，强化长鑫科技的技术储备和专利保障，一边砸钱做研发。

招股书显示，该公司研发人员占比长期保持30%左右，核心成员多来自三星、美光等国际巨头，且核心技术人员未发生重大不利变动。2022年至2024年研发投入超152亿元，占累计营收的36.6%。

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本次在科创板拟募资的295亿元核心也将围绕DRAM主业的技术升级、产能优化与前瞻研发，以此强化技术壁垒、扩大产能规模。

截至2025年6月，长鑫科技境内外累计专利数达到5589项，2023年国际专利申请公开数全球第22位。

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目前，长鑫科技已经成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，是全球DRAM行业不容忽视的中国力量。

但较其成为“中国版三星”的目标还相差甚远。位于行业前三的三星电子、SK海力士和美光科技仍占据着全球90%以上的市场份额。

技术纵深与高端产品布局上的差距是制约长鑫科技向行业顶端突破的关键瓶颈。

尽管长鑫科技通过“跳代研发”策略实现了17nmDDR5/LPDDR5X的量产，部分产品速率甚至超越三星同级产品，HBM2也已实现量产且良率提升至80%接近SK海力士水平，但在核心高端领域仍落后于国际巨头。

在AI时代至关重要的HBM（高带宽内存）领域，三星、SK海力士已建立稳固的技术垄断，长鑫科技的HBM3计划2026年量产，较头部厂商落后1-2年。

在先进制程与封装技术上，国际巨头已着手推进1β（约10nm级）制程DDR5产品量产，而长鑫科技的技术重心仍集中在17nm级别，在3DTSV封装等前沿领域，国际巨头的技术护城河也尚未被突破。

供应链韧性与全球化运营能力的差距进一步放大了发展鸿沟。

国际巨头凭借数十年的全球化布局，已构建起覆盖设备、材料、封测等全产业链的稳定供应链体系，能够有效抵御国际贸易摩擦与市场波动的冲击。

而长鑫科技虽在推进国产供应链协同，与通富微电等企业建立深度合作，但部分核心生产设备与关键材料仍依赖进口，面临着国际贸易环境变化带来的供应链稳定性风险。更大的问题在于该公司未来的发展仍面临巨大挑战。

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长期发展暗藏“三重隐忧”

作为国产DRAM产业的核心力量，长鑫科技凭借持续的技术突破与产能扩张实现了快速成长，2025年也有望迎来盈利拐点。

但半导体行业固有的重资产属性、DRAM赛道的强周期性波动，以及复杂国际环境下的合规风险，仍构成其长期发展路上的三重核心隐忧，这些问题相互交织，考验着企业的经营韧性与战略定力。

DRAM行业作为资本密集型赛道，晶圆厂建设、设备采购与产能扩张需要巨额且持续的资金投入，长鑫科技在合肥、北京布局的3座12英寸晶圆厂，已形成庞大的固定资产规模。

截至2025年6月，该公司固定资产高达1715.93亿元，占资产总额的59.19%，如此庞大的资产基数直接导致巨额折旧费用，2024年仅折旧支出就达148.75亿元，成为侵蚀利润的主要因素之一。

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为维持竞争力，公司还需不断投入资金进行技术迭代与产能升级，此次科创板IPO拟募资295亿元，进一步凸显其对资本的高度依赖。

这种重资产模式下，企业的盈利水平与产能利用率深度绑定，尽管当前公司产能利用率已提升，但一旦行业进入下行周期、需求疲软，其下滑将直接放大单位成本压力。

而巨额固定资产的刚性支出难以同步缩减，可能导致亏损进一步扩大，截至2025年6月，公司累计未弥补亏损已达408.57亿元，重资产模式的风险敞口可见一斑。

此外，长鑫科技还要面对行业周期性波动这一不确定风险。

DRAM行业素有“周期之王”之称，价格波动与库存周期交替上演，即便是三星、SK海力士等巨头早年也历经长达十年的亏损期，长鑫科技自然难以独善其身。

2023年行业陷入深度下行周期，DRAM市场价格大幅下滑，公司因此承受了115亿元的存货跌价损失，业绩承压明显。

而2025年以来，随着行业库存去化与AI驱动的需求爆发，DRAM价格进入上升通道，公司2025年1-9月营收同比大增97.79%至320.84亿元，预计全年净利润首次转正至20-35亿元。

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这种“靠天吃饭”的业绩表现使得盈利拐点的出现更多依赖行业景气度回升，而非自身摆脱周期束缚的稳定盈利能力。

在复杂的国际地缘政治格局下，合规风险与供应链安全隐忧也成为长鑫科技必须应对的外部挑战。

半导体产业的全球化分工体系，使得企业的生产经营高度依赖跨境供应链，而长鑫科技部分核心生产设备、EDA软件及关键材料仍依赖进口，这使其面临国际贸易管制的潜在风险。

美国曾通过《出口管制条例》限制14nm以下先进制程设备对华出口，还联合日本、荷兰形成技术封锁联盟，收紧半导体设备出口管制，这类政策调整可能直接影响公司的设备采购、技术迭代与产能扩张节奏。

长鑫科技的发展之路，既是国产半导体产业突围的缩影，也深刻反映了行业发展的客观规律。

而重资产依赖、周期波动与合规隐忧并非个例，而是全球DRAM企业共同面临的挑战，但对于仍处于成长阶段的长鑫科技而言，这些问题的影响更为显著。

来源：消费日报-今朝新闻

图片：长鑫科技

作者：满月