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FIB在半导体分析测试中的应用

2025/12/1 11:41:00



FIB介绍  


聚焦离子束(FIB)技术作为一种高精度的微观加工和分析工具,在半导体失效分析与微纳加工领域,双束聚焦离子束(FIB)因其“稳、准、狠、短、平、快”的技术特征,被业内誉为“微创手术刀”。它通过聚焦离子束直接在材料上进行操作,无需掩模,能够实现纳米级精度的成像和修改,特别适合需要高精度的任务。





截面量测 


以镓离子源为核心,FIB 技术通过精确调控离子束与样品表面的相互作用,实现纳米级的精细操作。





缺陷分析 


案例1:针对膜层内部缺陷通过FIB精细加工至缺陷根源处,同时结合前段生产工艺找出缺陷产生点,通过调整工艺解决产品缺陷。



案例2:产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。




TEM制样


透射电子显微镜(TEM)是研究材料微观结构的重要手段,但需要制备超薄样品。FIB 技术能够精确地将样品减薄到纳米级厚度,同时保持样品的结构完整性,为 TEM 分析提供高质量的样品。通过 FIB 制备的样品可以清晰地观察到材料的晶体结构、界面特征和缺陷分布等信息。


1.FIB粗加工


2.纳米手转移


3.FIB精细加工完成制样




气相沉积(GIS)


FIB GIS系统搭载Pt气体,其作用除了对样品表面起到保护作用,还能根据其导电特性对样品进行加工。FIB加工前为材料提供保护层,或用于材料精加工。

纳米材料电阻无法直接进行测量,通过FIB GIS系统对其沉积Pt,将其连接到电极上进行四探针法测电阻。




结语  


聚焦离子束(FIB)技术作为一种高精度的微观加工和分析工具,在半导体量产中具有广泛的应用前景。它能够实现纳米级精度的成像和修改,特别适合缺陷分析、电路修改、光掩模修复、TEM 样品制备和故障分析等任务。检测请联系18148990106。

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