2.阻值漂移：隐蔽性失效。源于电阻膜缺陷或退化、基体中可动离子影响、保护涂层不良，导致阻值超出规范，电路性能逐步劣化。

3.引线断裂：多由工艺缺陷引起，如焊接不良、焊点污染或机械损伤，在温度循环与机械振动下加剧。

4.短路故障：相对少见但危害大。银迁移或电晕放电可能在电阻内部形成导电路径。

5.失效机理：

• 薄膜电阻的导电膜存在结晶化趋势，导致阻值缓慢下降。

• 制备过程中的机械应力释放会引起阻值变化。

• 电负荷下，引线帽接触点温升显著，加速老化。经验表明，温度每升高10℃，寿命减半。

• 环境因素（如化工环境中的硫）会腐蚀电极，导致阻值增大或开路。

• 温度：最关键因素，每升高10℃，寿命减半。
  工作电压与纹波电流：直接加速电解液消耗，与高温协同作用将大幅缩短寿命。
  
  
  
  

• 内应力可能导致“立碑效应”。
• 焊盘设计不当引起焊接应力集中。
  贴片偏移导致焊接不良。

• 表面问题：二氧化硅层内可动离子导致击穿电压下降、漏电流增大。
• 金属化问题：台阶断铝、铝腐蚀、金属膜划伤。
• 键合问题：压焊点污染、金层附着不牢、过压焊。
• 芯片键合问题：焊料不足、氧化或烧结温度过低。
• 封装问题：管壳漏气、管腿故障、内涂料龟裂。
• 体内缺陷：降低二次击穿耐量和闩锁阈值。