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氩离子抛光仪/CP离子研磨截面抛光案例

2025/7/21 16:53:00

样品切割和抛光

配温控液氮冷却台，去除热效应对样品的损伤，有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化。

氩离子切割制样原理

氩离子切割制样是利用氩离子束（?1mm）来切割样品，以获得相比FIB制样（通常十几微米）面积更大的电子显微分析区域。其制样原理是用一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域，有效的遮蔽了下半部分的离子束，创造出一个侧切割平面，去除样品表面的一层薄膜。

氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术，是对样品表面进行抛光，去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在SEM，光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

针对不同的样品的硬度，设置不同的电压、电流、离子枪的角度、离子束窗口，控制氩离子作用的深度、强度、角度、这样较精准的参数，有利于制备成研究者理想的材料样品，这样的样品不仅表面光滑无损伤，而且还原材料内部的真实结构。

氩离子抛光与切割/CP截面抛光的优点

相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点

1.对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。通过金鉴实验室的氩离子抛光技术，能够显著提升样品的质量，为后续的检测分析提供更准确的数据支持。检测请联系18148990106。

2.比FIB方法的抛光面积更大（~1mm以上）。

寄样要求

1. 送样前需要对样品进行预处理：样品预磨抛，样品要磨平，样品的上下表面要平行，样品抛光面至少用4000目砂纸磨平，在显微镜下看起来光滑，不粗糙。

2. 样品的尺寸要求：

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