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为什么LED芯片正电极要插入二氧化硅电流阻挡层，而负极没有？

金鉴实验室朱工

2025/7/14 17:04:00

案例分析

某灯具厂家把芯片封装成灯珠后，做成灯具，在使用一个月后出现个别灯珠死灯现象，通过自主研发的显微热分布测试仪发现芯片正负电极温差过大，再经过FIB对芯片正负电极切割发现正极下缺乏二氧化硅阻挡层和正极Al层过厚。死灯芯片正极金道下没有二氧化硅阻挡层，并且正极Al层厚度为负极的两倍多，从而造成了正负极电流不均，电极周围电流拥挤效应，解释了芯片负极暗亮发热量大，正极发热量小的现象。如下为案例数据分析：

1.对漏电灯珠通电光学显微镜观察

随机取1pc漏电灯珠进行化学开封，使用3V/50uA直流电通电测试，发现灯珠存在电流分布不均现象，负极周围亮度较低。

2.对漏电灯珠显微红外观察

实验室拥有专业的芯片测试设备和技术团队，能够确保芯片测试的准确性和可靠性。

3.死灯芯片负极金道FIB切割

工程师对死灯灯珠芯片靠近负极电极烧毁位置下方的金道做FIB切割，结果显示芯片采用Cr-Al-Cr-Pt-Au反射结构，铝（Al）层与第1层铬（Cr）层结合良好。芯片负极的铝层厚度约为100nm。

4.死灯芯片正极金道FIB切割

工程师对死灯灯珠芯片正极金道做FIB切割，结果显示芯片采用Cr-Al-Cr-Pt-Au反射结构。